Wyniki badań
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
producent:
Elektronika Winbonda
Opis:
IC FLASH 8GBIT PAR 48TSOP
Kategoria:
Pamięć
Specyfikacje
Kategoria:
Obwody zintegrowane
Pamięć
Pamięć
Rozmiar pamięci:
8Gbit
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Płytka
Zestaw:
-
Programowalny DigiKey:
Nie zweryfikowane
Interfejs pamięci:
Równoległy
Czas cyklu zapisu — słowo, strona:
35ns
Zestaw urządzeń dostawcy:
48-TSOP
Typ pamięci:
Nieulotne
Mfr:
Elektronika Winbonda
Częstotliwość zegara:
40 MHz
Napięcie - zasilanie:
1,7 V ~ 1,95 V
Czas dostępu:
35 nS
Opakowanie / Pudełko:
48-TFSOP (0,724", 18,40 mm szerokości)
Organizacja pamięci:
1G x 8
Temperatura pracy:
-40°C ~ 85°C (TA)
technologii:
FLASH-NAND (SLC)
Numer produktu podstawowego:
W29N08
Format pamięci:
Błysk
Wprowadzenie
FLASH - NAND (SLC) IC pamięci 8Gbit Równoległy 40 MHz 35 ns 48-TSOP
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
W29N02KVBIAE TR
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
W97AH6NBVA1E TR
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
W979H2KBVX1I TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
Wykorzystanie metalu
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
W9812G6KH-5I TR
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W632GG8NB-11 TR
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W979H6KBVX1E TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W971GG8NB25I TR
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W9812G6KH-5I
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
Wykorzystuje się następujące metody:
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
W979H6KBVX2I TR
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
W94AD2KBJX5E
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
W631GG6NB-15
IC DRAM 1GBIT SSTL 15 96VFBGA
W25M512JWEIQ TR
IC FLASH 512MBIT SPI 8WSON
W632GU6NB09I
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
W29N01HZSINA TR
IC FLASH 1GBIT ONFI 48TSOP
W25Q80DVSNIG
IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Wykorzystanie metalu
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOIC
W631GG6NB09I TR
IC DRAM 1GBIT SSTL 15 96VFBGA
W9812G6KH-6 TR
IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
W25Q16JVSNIM TR
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC
W66BM6NBUAFJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
W25Q256JVEIM
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON
W9816G6JH-5 TR
IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
W25Q128JWPIQ TR
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON
W25R128JWEIQ TR
IC FLASH 128MBIT SPI 8WSON
W971GG8NB-18
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
Wykorzystuje się:
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 24TFBGA
Wykorzystanie metalu
IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 8WSON
W9412G6KH-5 TR
IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
W29N02KVBIAE TR |
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
|
|
|
|
W97AH6NBVA1E TR |
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W979H2KBVX1I TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
Wykorzystanie metalu |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W9812G6KH-5I TR |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W632GG8NB-11 TR |
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
|
|
|
|
W979H6KBVX1E TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W971GG8NB25I TR |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
|
|
|
|
W9812G6KH-5I |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
Wykorzystuje się następujące metody: |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W979H6KBVX2I TR |
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
|
|
|
|
W94AD2KBJX5E |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
|
|
|
|
W631GG6NB-15 |
IC DRAM 1GBIT SSTL 15 96VFBGA
|
|
|
|
W25M512JWEIQ TR |
IC FLASH 512MBIT SPI 8WSON
|
|
|
|
W632GU6NB09I |
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
|
|
|
|
W29N01HZSINA TR |
IC FLASH 1GBIT ONFI 48TSOP
|
|
|
|
W25Q80DVSNIG |
IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOIC
|
|
|
|
Wykorzystanie metalu |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOIC
|
|
|
|
W631GG6NB09I TR |
IC DRAM 1GBIT SSTL 15 96VFBGA
|
|
|
|
W9812G6KH-6 TR |
IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
|
|
|
|
W25Q16JVSNIM TR |
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC
|
|
|
|
W66BM6NBUAFJ TR |
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
|
|
|
|
W25Q256JVEIM |
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W9816G6JH-5 TR |
IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
|
|
|
|
W25Q128JWPIQ TR |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W25R128JWEIQ TR |
IC FLASH 128MBIT SPI 8WSON
|
|
|
|
W971GG8NB-18 |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
|
|
|
|
Wykorzystuje się: |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 24TFBGA
|
|
|
|
Wykorzystanie metalu |
IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W9412G6KH-5 TR |
IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: