Specyfikacje
Kategoria:
Obwody zintegrowane
Pamięć
Pamięć
Rozmiar pamięci:
16Mbit
Status produktu:
Nie dla nowych wzorów
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Zestaw:
-
Programowalny DigiKey:
Nie zweryfikowane
Interfejs pamięci:
Równoległy
Czas cyklu zapisu — słowo, strona:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
50-TSOP II
Typ pamięci:
Lotny
Mfr:
Elektronika Winbonda
Częstotliwość zegara:
200 MHz
Napięcie - zasilanie:
3V ~ 3,6V
Czas dostępu:
4,5 ns
Opakowanie / Pudełko:
50-TSOP (0,400", 10,16 mm szerokości)
Organizacja pamięci:
1M x 16
Temperatura pracy:
0°C ~ 70°C (TA)
technologii:
SDRAM
Numer produktu podstawowego:
W9816G6
Format pamięci:
NAPARSTEK
Wprowadzenie
IC pamięci SDRAM 16Mbit Równoległe 200 MHz 4,5 ns 50-TSOP II
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
W29N02KVBIAE TR
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
W97AH6NBVA1E TR
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
W979H2KBVX1I TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
Wykorzystanie metalu
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
W9812G6KH-5I TR
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
W632GG8NB-11 TR
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
W979H6KBVX1E TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
W971GG8NB25I TR
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
W9812G6KH-5I
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
Wykorzystuje się następujące metody:
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
W979H6KBVX2I TR
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
W94AD2KBJX5E
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
W631GG6NB-15
IC DRAM 1GBIT SSTL 15 96VFBGA
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
W25M512JWEIQ TR
IC FLASH 512MBIT SPI 8WSON
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
W632GU6NB09I
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
W29N01HZSINA TR
IC FLASH 1GBIT ONFI 48TSOP
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
W25Q80DVSNIG
IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOIC
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
Wykorzystanie metalu
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOIC
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
W631GG6NB09I TR
IC DRAM 1GBIT SSTL 15 96VFBGA
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
W9812G6KH-6 TR
IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
W25Q16JVSNIM TR
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
W66BM6NBUAFJ TR
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
W25Q256JVEIM
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
W25Q128JWPIQ TR
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
W25R128JWEIQ TR
IC FLASH 128MBIT SPI 8WSON
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
W971GG8NB-18
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
Wykorzystuje się:
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 24TFBGA
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
Wykorzystanie metalu
IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 8WSON
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
W9412G6KH-5 TR
IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
W25Q16JWSSIQ
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Obraz | część # | Opis | |
---|---|---|---|
![]() |
W29N02KVBIAE TR |
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
|
|
![]() |
W97AH6NBVA1E TR |
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
![]() |
W979H2KBVX1I TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
![]() |
Wykorzystanie metalu |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
![]() |
W9812G6KH-5I TR |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
![]() |
W632GG8NB-11 TR |
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
|
|
![]() |
W979H6KBVX1E TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
![]() |
W971GG8NB25I TR |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
|
|
![]() |
W9812G6KH-5I |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
![]() |
Wykorzystuje się następujące metody: |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
![]() |
W979H6KBVX2I TR |
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
|
|
![]() |
W94AD2KBJX5E |
IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
|
|
![]() |
W631GG6NB-15 |
IC DRAM 1GBIT SSTL 15 96VFBGA
|
|
![]() |
W25M512JWEIQ TR |
IC FLASH 512MBIT SPI 8WSON
|
|
![]() |
W632GU6NB09I |
IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
|
|
![]() |
W29N01HZSINA TR |
IC FLASH 1GBIT ONFI 48TSOP
|
|
![]() |
W25Q80DVSNIG |
IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOIC
|
|
![]() |
Wykorzystanie metalu |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOIC
|
|
![]() |
W631GG6NB09I TR |
IC DRAM 1GBIT SSTL 15 96VFBGA
|
|
![]() |
W9812G6KH-6 TR |
IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
|
|
![]() |
W25Q16JVSNIM TR |
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC
|
|
![]() |
W66BM6NBUAFJ TR |
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
|
|
![]() |
W25Q256JVEIM |
IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
![]() |
W25Q128JWPIQ TR |
IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
![]() |
W25R128JWEIQ TR |
IC FLASH 128MBIT SPI 8WSON
|
|
![]() |
W971GG8NB-18 |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
|
|
![]() |
Wykorzystuje się: |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 24TFBGA
|
|
![]() |
Wykorzystanie metalu |
IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
![]() |
W9412G6KH-5 TR |
IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
|
|
![]() |
W25Q16JWSSIQ |
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: