W29N02KVBIAE TR
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
producent:
Elektronika Winbonda
Opis:
Układ scalony FLASH 2 GBIT ONFI 63VFBGA
Kategoria:
Pamięć
Specyfikacje
Kategoria:
Obwody zintegrowane
Pamięć
Pamięć
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Zestaw:
-
Programowalny DigiKey:
Nie zweryfikowane
Interfejs pamięci:
ONFI
Czas cyklu zapisu — słowo, strona:
25ns
Zestaw urządzeń dostawcy:
63-VFBGA (9x11)
Typ pamięci:
Nieulotne
Mfr:
Elektronika Winbonda
Rozmiar pamięci:
2Gbit
Napięcie - zasilanie:
2.7V ~ 3.6V
Czas dostępu:
20 sekund
Opakowanie / Pudełko:
63-VFBGA
Organizacja pamięci:
256M x 8
Temperatura pracy:
-40°C ~ 85°C (TA)
technologii:
FLASH-NAND (SLC)
Numer produktu podstawowego:
W29N02
Format pamięci:
Błysk
Wprowadzenie
FLASH - NAND (SLC) IC pamięci 2Gbit ONFI 20 ns 63-VFBGA (9x11)
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
W97AH6NBVA1E TR
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
W979H2KBVX1I TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
Wykorzystanie metalu
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
W9812G6KH-5I TR
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W632GG8NB-11 TR
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W979H6KBVX1E TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W971GG8NB25I TR
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W9812G6KH-5I
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
Wykorzystuje się następujące metody:
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
W979H6KBVX2I TR
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
W97AH6NBVA1E TR |
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W979H2KBVX1I TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
Wykorzystanie metalu |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W9812G6KH-5I TR |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W632GG8NB-11 TR |
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
|
|
|
|
W979H6KBVX1E TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W971GG8NB25I TR |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
|
|
|
|
W9812G6KH-5I |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
Wykorzystuje się następujące metody: |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W979H6KBVX2I TR |
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: