W9812G6KH-5I TR
Specyfikacje
Kategoria:
Obwody zintegrowane
Pamięć
Pamięć
Rozmiar pamięci:
128 Mb/s
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Zestaw:
-
Programowalny DigiKey:
Nie zweryfikowane
Interfejs pamięci:
LVTTL
Czas cyklu zapisu — słowo, strona:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
54-TSOP II
Typ pamięci:
Lotny
Mfr:
Elektronika Winbonda
Częstotliwość zegara:
200 MHz
Napięcie - zasilanie:
3V ~ 3,6V
Czas dostępu:
4,5 ns
Opakowanie / Pudełko:
54-TSOP (0,400", 10,16 mm szerokości)
Organizacja pamięci:
8M x 16
Temperatura pracy:
-40°C ~ 85°C (TA)
technologii:
SDRAM
Numer produktu podstawowego:
W9812G6
Format pamięci:
NAPARSTEK
Wprowadzenie
Pamięć SDRAM IC 128Mbit LVTTL 200 MHz 4,5 ns 54-TSOP II
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
W29N02KVBIAE TR
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
W97AH6NBVA1E TR
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
W979H2KBVX1I TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
Wykorzystanie metalu
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
W632GG8NB-11 TR
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
W979H6KBVX1E TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
W971GG8NB25I TR
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
W9812G6KH-5I
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
Wykorzystuje się następujące metody:
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
W979H6KBVX2I TR
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
Obraz | część # | Opis | |
---|---|---|---|
![]() |
W29N02KVBIAE TR |
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
|
|
![]() |
W97AH6NBVA1E TR |
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
![]() |
W979H2KBVX1I TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
![]() |
Wykorzystanie metalu |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
![]() |
W632GG8NB-11 TR |
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
|
|
![]() |
W979H6KBVX1E TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
![]() |
W971GG8NB25I TR |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
|
|
![]() |
W9812G6KH-5I |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
![]() |
Wykorzystuje się następujące metody: |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
![]() |
W979H6KBVX2I TR |
IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: