Do domu > produkty > Pamięć > W979H2KBVX1I TR

W979H2KBVX1I TR

producent:
Elektronika Winbonda
Opis:
Układ scalony DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
Kategoria:
Pamięć
Specyfikacje
Kategoria:
Obwody zintegrowane Pamięć Pamięć
Rozmiar pamięci:
512Mbit
Status produktu:
Nie dla nowych wzorów
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Zestaw:
-
Programowalny DigiKey:
Nie zweryfikowane
Interfejs pamięci:
HSUL_12
Czas cyklu zapisu — słowo, strona:
15ns
Zestaw urządzeń dostawcy:
134-VFBGA (10x11.5)
Typ pamięci:
Lotny
Mfr:
Elektronika Winbonda
Częstotliwość zegara:
533MHz
Napięcie - zasilanie:
1,14 V ~ 1,3 V, 1,7 V ~ 1,95 V
Opakowanie / Pudełko:
134-VFBGA
Organizacja pamięci:
16M x 32
Temperatura pracy:
-40°C ~ 85°C (TC)
technologii:
SDRAM - mobilny LPDDR2-S4B
Numer produktu podstawowego:
W979H2
Format pamięci:
NAPARSTEK
Wprowadzenie
SDRAM - Przenośna pamięć LPDDR2-S4B IC 512Mbit HSUL_12 533 MHz 134-VFBGA (10x11.5)
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
Obraz część # Opis
jakość [#varpname#] fabryka

W29N02KVBIAE TR

IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
jakość [#varpname#] fabryka

W97AH6NBVA1E TR

IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
jakość [#varpname#] fabryka

Wykorzystanie metalu

IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
jakość [#varpname#] fabryka

W9812G6KH-5I TR

IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
jakość [#varpname#] fabryka

W632GG8NB-11 TR

IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
jakość [#varpname#] fabryka

W979H6KBVX1E TR

IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
jakość [#varpname#] fabryka

W971GG8NB25I TR

IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
jakość [#varpname#] fabryka

W9812G6KH-5I

IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
jakość [#varpname#] fabryka

Wykorzystuje się następujące metody:

IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
jakość [#varpname#] fabryka

W979H6KBVX2I TR

IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
jakość [#varpname#] fabryka

W94AD2KBJX5E

IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
jakość [#varpname#] fabryka

W631GG6NB-15

IC DRAM 1GBIT SSTL 15 96VFBGA
jakość [#varpname#] fabryka

W25M512JWEIQ TR

IC FLASH 512MBIT SPI 8WSON
jakość [#varpname#] fabryka

W632GU6NB09I

IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
jakość [#varpname#] fabryka

W29N01HZSINA TR

IC FLASH 1GBIT ONFI 48TSOP
jakość [#varpname#] fabryka

W25Q80DVSNIG

IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOIC
jakość [#varpname#] fabryka

Wykorzystanie metalu

IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOIC
jakość [#varpname#] fabryka

W631GG6NB09I TR

IC DRAM 1GBIT SSTL 15 96VFBGA
jakość [#varpname#] fabryka

W9812G6KH-6 TR

IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
jakość [#varpname#] fabryka

W25Q16JVSNIM TR

IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC
jakość [#varpname#] fabryka

W66BM6NBUAFJ TR

IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
jakość [#varpname#] fabryka

W25Q256JVEIM

IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON
jakość [#varpname#] fabryka

W9816G6JH-5 TR

IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
jakość [#varpname#] fabryka

W25Q128JWPIQ TR

IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON
jakość [#varpname#] fabryka

W25R128JWEIQ TR

IC FLASH 128MBIT SPI 8WSON
jakość [#varpname#] fabryka

W971GG8NB-18

IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
jakość [#varpname#] fabryka

Wykorzystuje się:

IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 24TFBGA
jakość [#varpname#] fabryka

Wykorzystanie metalu

IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 8WSON
jakość [#varpname#] fabryka

W9412G6KH-5 TR

IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
jakość [#varpname#] fabryka

W25Q16JWSSIQ

IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: