Wykorzystanie metalu
Specyfikacje
Kategoria:
Obwody zintegrowane
Pamięć
Pamięć
Rozmiar pamięci:
1Gbit
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Zestaw:
SpiFlash®
Programowalny DigiKey:
Nie zweryfikowane
Interfejs pamięci:
SPI — cztery wejścia/wyjścia, QPI
Czas cyklu zapisu — słowo, strona:
3 ms
Zestaw urządzeń dostawcy:
16-SOIC
Typ pamięci:
Nieulotne
Mfr:
Elektronika Winbonda
Częstotliwość zegara:
133MHz
Napięcie - zasilanie:
1,7 V ~ 1,95 V
Czas dostępu:
7 ns
Opakowanie / Pudełko:
16-SOIC (0,295", 7,50 mm szerokości)
Organizacja pamięci:
128M x 8
Temperatura pracy:
-40°C ~ 85°C (TA)
technologii:
BŁYSK - NIE
Numer produktu podstawowego:
W25Q01
Format pamięci:
Błysk
Wprowadzenie
FLASH – Układ pamięci NOR 1Gbit SPI – Quad I/O, QPI 133 MHz 7 ns 16-SOIC
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
W29N02KVBIAE TR
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
W97AH6NBVA1E TR
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
W979H2KBVX1I TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
Wykorzystanie metalu
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
W9812G6KH-5I TR
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
W632GG8NB-11 TR
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
W979H6KBVX1E TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
W971GG8NB25I TR
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
W9812G6KH-5I
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
Wykorzystuje się następujące metody:
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
Obraz | część # | Opis | |
---|---|---|---|
![]() |
W29N02KVBIAE TR |
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
|
|
![]() |
W97AH6NBVA1E TR |
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
![]() |
W979H2KBVX1I TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
![]() |
Wykorzystanie metalu |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
![]() |
W9812G6KH-5I TR |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
![]() |
W632GG8NB-11 TR |
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
|
|
![]() |
W979H6KBVX1E TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
![]() |
W971GG8NB25I TR |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
|
|
![]() |
W9812G6KH-5I |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
![]() |
Wykorzystuje się następujące metody: |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: