W25R128JWEIQ TR
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
producent:
Elektronika Winbonda
Opis:
IC FLASH 128MBIT SPI 8WSON
Kategoria:
Pamięć
Specyfikacje
Kategoria:
Obwody zintegrowane
Pamięć
Pamięć
Rozmiar pamięci:
128 Mb/s
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Zestaw:
-
Programowalny DigiKey:
Nie zweryfikowane
Interfejs pamięci:
SPI
Czas cyklu zapisu — słowo, strona:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
8-WSON (8x6)
Typ pamięci:
Nieulotne
Mfr:
Elektronika Winbonda
Częstotliwość zegara:
104MHz
Napięcie - zasilanie:
1,7 V ~ 1,95 V
Opakowanie / Pudełko:
8-WDFN Odsłonięta podkładka
Organizacja pamięci:
16M x 8
Temperatura pracy:
-40°C ~ 85°C
technologii:
BŁYSK - NIE
Numer produktu podstawowego:
W25R128
Format pamięci:
Błysk
Wprowadzenie
Flash - NOR pamięć IC 128Mbit SPI 104 MHz 8-WSON (8x6)
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
W29N02KVBIAE TR
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
W97AH6NBVA1E TR
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
W979H2KBVX1I TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
Wykorzystanie metalu
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
W9812G6KH-5I TR
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W632GG8NB-11 TR
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W979H6KBVX1E TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W971GG8NB25I TR
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W9812G6KH-5I
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
Wykorzystuje się następujące metody:
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
W29N02KVBIAE TR |
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
|
|
|
|
W97AH6NBVA1E TR |
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W979H2KBVX1I TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
Wykorzystanie metalu |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W9812G6KH-5I TR |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W632GG8NB-11 TR |
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
|
|
|
|
W979H6KBVX1E TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W971GG8NB25I TR |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
|
|
|
|
W9812G6KH-5I |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
Wykorzystuje się następujące metody: |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: