Do domu > produkty > Pamięć > W25Q256JWFIQ

W25Q256JWFIQ

producent:
Elektronika Winbonda
Opis:
Układ scalony FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC
Kategoria:
Pamięć
Specyfikacje
Kategoria:
Obwody zintegrowane Pamięć Pamięć
Rozmiar pamięci:
256 Mb/s
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Płytka
Zestaw:
SpiFlash®
Programowalny DigiKey:
Nie zweryfikowane
Interfejs pamięci:
SPI — cztery wejścia/wyjścia
Czas cyklu zapisu — słowo, strona:
5 ms
Zestaw urządzeń dostawcy:
16-SOIC
Typ pamięci:
Nieulotne
Mfr:
Elektronika Winbonda
Częstotliwość zegara:
133MHz
Napięcie - zasilanie:
1,7 V ~ 1,95 V
Czas dostępu:
6 ns
Opakowanie / Pudełko:
16-SOIC (0,295", 7,50 mm szerokości)
Organizacja pamięci:
32M x 8
Temperatura pracy:
-40°C ~ 85°C (TA)
technologii:
BŁYSK - NIE
Numer produktu podstawowego:
W25Q256
Format pamięci:
Błysk
Wprowadzenie
FLASH — Układ pamięci NOR 256 Mbit SPI — Quad I/O 133 MHz 6 ns 16-SOIC
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
Obraz część # Opis
jakość [#varpname#] fabryka

W29N02KVBIAE TR

IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
jakość [#varpname#] fabryka

W97AH6NBVA1E TR

IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
jakość [#varpname#] fabryka

W979H2KBVX1I TR

IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
jakość [#varpname#] fabryka

Wykorzystanie metalu

IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
jakość [#varpname#] fabryka

W9812G6KH-5I TR

IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
jakość [#varpname#] fabryka

W632GG8NB-11 TR

IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
jakość [#varpname#] fabryka

W979H6KBVX1E TR

IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
jakość [#varpname#] fabryka

W971GG8NB25I TR

IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
jakość [#varpname#] fabryka

W9812G6KH-5I

IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
jakość [#varpname#] fabryka

Wykorzystuje się następujące metody:

IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
jakość [#varpname#] fabryka

W979H6KBVX2I TR

IC DRAM 512MBIT PAR 134VFBGA
jakość [#varpname#] fabryka

W94AD2KBJX5E

IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90VFBGA
jakość [#varpname#] fabryka

W631GG6NB-15

IC DRAM 1GBIT SSTL 15 96VFBGA
jakość [#varpname#] fabryka

W25M512JWEIQ TR

IC FLASH 512MBIT SPI 8WSON
jakość [#varpname#] fabryka

W632GU6NB09I

IC DRAM 2GBIT PAR 96VFBGA
jakość [#varpname#] fabryka

W29N01HZSINA TR

IC FLASH 1GBIT ONFI 48TSOP
jakość [#varpname#] fabryka

W25Q80DVSNIG

IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOIC
jakość [#varpname#] fabryka

Wykorzystanie metalu

IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOIC
jakość [#varpname#] fabryka

W631GG6NB09I TR

IC DRAM 1GBIT SSTL 15 96VFBGA
jakość [#varpname#] fabryka

W9812G6KH-6 TR

IC DRAM 128MBIT PAR 54TSOP II
jakość [#varpname#] fabryka

W25Q16JVSNIM TR

IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC
jakość [#varpname#] fabryka

W66BM6NBUAFJ TR

IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
jakość [#varpname#] fabryka

W25Q256JVEIM

IC FLASH 256MBIT SPI/QUAD 8WSON
jakość [#varpname#] fabryka

W9816G6JH-5 TR

IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
jakość [#varpname#] fabryka

W25Q128JWPIQ TR

IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON
jakość [#varpname#] fabryka

W25R128JWEIQ TR

IC FLASH 128MBIT SPI 8WSON
jakość [#varpname#] fabryka

W971GG8NB-18

IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
jakość [#varpname#] fabryka

Wykorzystuje się:

IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 24TFBGA
jakość [#varpname#] fabryka

Wykorzystanie metalu

IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 8WSON
jakość [#varpname#] fabryka

W9412G6KH-5 TR

IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: