W25X40CLSSIG
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
producent:
Elektronika Winbonda
Opis:
IC FLASH 4MBIT SPI 104MHZ 8SOIC
Kategoria:
Pamięć
Specyfikacje
Kategoria:
Obwody zintegrowane
Pamięć
Pamięć
Rozmiar pamięci:
4Mbit
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Rurka
Zestaw:
SpiFlash®
Programowalny DigiKey:
Zweryfikowano
Interfejs pamięci:
SPI
Czas cyklu zapisu — słowo, strona:
800 μs
Zestaw urządzeń dostawcy:
8-SOIC
Typ pamięci:
Nieulotne
Mfr:
Elektronika Winbonda
Częstotliwość zegara:
104MHz
Napięcie - zasilanie:
2,3 V ~ 3,6 V
Opakowanie / Pudełko:
8-SOIC (0,209", 5,30 mm szerokości)
Organizacja pamięci:
512K x 8
Temperatura pracy:
-40°C ~ 85°C (TA)
technologii:
Błysk
Numer produktu podstawowego:
W25X40
Format pamięci:
Błysk
Wprowadzenie
IC pamięci FLASH 4Mbit SPI 104 MHz 8-SOIC
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
W29N02KVBIAE TR
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
W97AH6NBVA1E TR
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
W979H2KBVX1I TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
Wykorzystanie metalu
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
W9812G6KH-5I TR
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W632GG8NB-11 TR
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W979H6KBVX1E TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W971GG8NB25I TR
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W9812G6KH-5I
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
Wykorzystuje się następujące metody:
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
W29N02KVBIAE TR |
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
|
|
|
|
W97AH6NBVA1E TR |
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W979H2KBVX1I TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
Wykorzystanie metalu |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W9812G6KH-5I TR |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W632GG8NB-11 TR |
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
|
|
|
|
W979H6KBVX1E TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W971GG8NB25I TR |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
|
|
|
|
W9812G6KH-5I |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
Wykorzystuje się następujące metody: |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: