W9812G2KB-6I
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
producent:
Elektronika Winbonda
Opis:
IC DRAM 128MBIT PAR 90TFBGA
Kategoria:
Pamięć
Specyfikacje
Kategoria:
Obwody zintegrowane
Pamięć
Pamięć
Rozmiar pamięci:
128 Mb/s
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Płytka
Zestaw:
-
Programowalny DigiKey:
Nie zweryfikowane
Interfejs pamięci:
Równoległy
Czas cyklu zapisu — słowo, strona:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
90-TFBGA (8x13)
Typ pamięci:
Lotny
Mfr:
Elektronika Winbonda
Częstotliwość zegara:
166MHz
Napięcie - zasilanie:
3V ~ 3,6V
Czas dostępu:
5 ns
Opakowanie / Pudełko:
90-TFBGA
Organizacja pamięci:
4M x 32
Temperatura pracy:
-40°C ~ 85°C (TA)
technologii:
SDRAM
Numer produktu podstawowego:
W9812G2
Format pamięci:
NAPARSTEK
Wprowadzenie
Pamięć SDRAM IC 128Mbit Równoległy 166 MHz 5 ns 90-TFBGA (8x13)
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
W29N02KVBIAE TR
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
W97AH6NBVA1E TR
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
W979H2KBVX1I TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
Wykorzystanie metalu
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
W9812G6KH-5I TR
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W632GG8NB-11 TR
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W979H6KBVX1E TR
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W971GG8NB25I TR
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W9812G6KH-5I
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
Wykorzystuje się następujące metody:
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
W29N02KVBIAE TR |
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
|
|
|
|
W97AH6NBVA1E TR |
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W979H2KBVX1I TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
Wykorzystanie metalu |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W9812G6KH-5I TR |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W632GG8NB-11 TR |
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
|
|
|
|
W979H6KBVX1E TR |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W971GG8NB25I TR |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
|
|
|
|
W9812G6KH-5I |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
Wykorzystuje się następujące metody: |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: