Filtry
Filtry
Pamięć
| Obraz | część # | Opis | producent | Akcje | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
|
IS42S16100H-7BL |
IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA
|
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
24LC04BH-E/ST |
Układ scalony EEPROM 4KBIT I2C 8TSSOP
|
Technologia mikroczipów
|
|
|
|
|
|
PC28F320C3BD70A |
IC FLASH 32MBIT PAR 64EASYBGA
|
Intel
|
|
|
|
|
|
IS25WP080D-JNLE-TR |
Układ scalony FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOIC
|
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
25A512-I/SN |
Układ scalony EEPROM 512KBIT SPI 8SOIC
|
Technologia mikroczipów
|
|
|
|
|
|
S29GL256S90TFA023 |
IC FLASH 256MBIT RÓWNOLEGLE 56TSOP
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
SST39VF020-70-4C-NHE |
IC FLASH 2MBIT RÓWNOLEGŁY 32PLCC
|
Technologia mikroczipów
|
|
|
|
|
|
CY7S1061G30-10BVXIT |
Układ scalony SRAM 16MBIT RÓWNOLEGŁY 48VFBGA
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
71V67603S150BQ |
Układ scalony SRAM 9MBIT PAR 165CABGA
|
IDT, Integrated Device Technology Inc
|
|
|
|
|
|
93LC46AT-I/OT |
IC EEPROM 1KBIT MIC WIRE SOT23-6
|
Technologia mikroczipów
|
|
|
|
|
|
MT4rozporządzenie (UE) nr 1308/2013 |
IC DRAM 4GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
|
Micron Technology Inc.
|
|
|
|
|
|
25LC080CT-E/MS |
IC EEPROM 8KBIT SPI 10MHZ 8MSOP
|
Technologia mikroczipów
|
|
|
|
|
|
IS65C1024AL-45TLA3 |
IC SRAM 1MBIT RÓWNOLEGŁY 32TSOP I
|
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
DS1245Y-120IND+ |
IC NVSRAM 1MBIT RÓWNOLEGŁY 32EDIP
|
Analog Devices Inc./Maxim Integrated
|
|
|
|
|
|
CY7C1512KV18-250BZIT |
Układ scalony SRAM 72MBIT PAR 165FBGA
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
S29GL512S11FHI020 |
S29GL512S - 512-Mbit (64 MB),
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
|
|
24LC025T-I/ST |
Układ scalony EEPROM 2KBIT I2C 8TSSOP
|
Technologia mikroczipów
|
|
|
|
|
|
24LC512-E/P |
IC EEPROM 512KBIT I2C 8DIP
|
Technologia mikroczipów
|
|
|
|
|
|
CY7C1361C-133AXI |
Układ scalony SRAM 9MBIT RÓWNOLEGŁY 100TQFP
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
71V67602S150BGI |
IC SRAM 9MBIT PAR 150MHZ 119PBGA
|
IDT, Integrated Device Technology Inc
|
|
|
|
|
|
CY7C1548KV18-450BZC |
Układ scalony SRAM 72MBIT PAR 165FBGA
|
Cypress Semiconductor Corp
|
|
|
|
|
|
S25FL128SDPBHB303 |
Układ scalony FLASH 128MBIT SPI/QUAD 24BGA
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
AT34C02D-XHM-B |
Układ scalony EEPROM 2KBIT I2C 1MHZ 8TSSOP
|
Technologia mikroczipów
|
|
|
|
|
|
S34ML04G100BHI003 |
IC FLASH 4 GBIT RÓWNOLEGŁY 63BGA
|
Cypress Semiconductor Corp
|
|
|
|
|
|
93LC86CT-I/MC |
IC EEPROM 16KBIT MICROWIRE 8DFN
|
Technologia mikroczipów
|
|
|
|
|
|
IS64LF12836A-7.5B3LA3 |
Układ scalony SRAM 4,5MBIT PAR 165TFBGA
|
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
S25FL512SDPBHI210 |
Układ scalony FLASH 512MBIT SPI/QUAD 24BGA
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
CY7C1471V25-133AXC |
Układ scalony SRAM 72MBIT RÓWNOLEGŁY 100TQFP
|
Cypress Semiconductor Corp
|
|
|
|
|
|
S25FL128SAGMFVG03 |
Układ scalony FLASH 128MBIT SPI/QUAD 16SOIC
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
SST39VF200A-70-4C-B3KE |
IC FLASH 2MBIT PARALLEL 48TFBGA
|
Technologia mikroczipów
|
|
|
|
|
|
71V424S10PHG |
IC SRAM 4MBIT RÓWNOLEGŁY 44TSOP II
|
Renesas Electronics America Inc.
|
|
|
|
|
|
RMLV0816BGSB-4S2#HA0 |
IC SRAM 8MBIT RÓWNOLEGŁY 44TSOP II
|
Renesas Electronics America Inc.
|
|
|
|
|
|
25LC040X-I/ST |
Układ scalony EEPROM 4KBIT SPI 2MHZ 8TSSOP
|
Technologia mikroczipów
|
|
|
|
|
|
Wykorzystanie metalu |
Układ scalony FLASH 1 GBIT SPI/QUAD 24 TFBGA
|
Elektronika Winbonda
|
|
|
|
|
|
71V3556SA166BG |
Układ scalony SRAM 4,5MBIT PAR 119PBGA
|
Renesas Electronics America Inc.
|
|
|
|
|
|
IS61QDB42M36A-300M3L |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA
|
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
CAT24C256YI-G |
Układ scalony EEPROM 256KBIT I2C 8TSSOP
|
pół
|
|
|
|
|
|
AT25DN256-SSHFGP-B |
Układ scalony FLASH 256KBIT SPI 8SOIC
|
Renesas Design Germany GmbH
|
|
|
|
|
|
SST26VF016BT-104V/SM |
Układ scalony FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIJ
|
Technologia mikroczipów
|
|
|
|
|
|
71T75602S133PFG8 |
Układ scalony SRAM 18MBIT RÓWNOLEGŁY 100TQFP
|
Renesas Electronics America Inc.
|
|
|
|
|
|
CY7C1515KV18-300BZXC |
CY7C1515KV18 - QDR SRAM, 2MX36,
|
Cypress Semiconductor Corp
|
|
|
|
|
|
MT4zbiór węglowy |
LPDDR4 64G 1GX64 FBGA
|
Micron Technology Inc.
|
|
|
|
|
|
W632GU8NB-12 |
IC DRAM 2 GBIT RÓWNOLEGŁY 78VFBGA
|
Elektronika Winbonda
|
|
|
|
|
|
24LC64-I/SN |
Układ scalony EEPROM 64KBIT I2C 8SOIC
|
Technologia mikroczipów
|
|
|
|
|
|
IS43QR16512A-083TBLI |
IC DRAM 8GBIT PARALLEL 96TWBGA
|
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
MT4A256M16LY-062E MT4A:F TR |
Układ scalony DRAM 4 GBIT RÓWNOLEGŁY 96FBGA
|
Micron Technology Inc.
|
|
|
|
|
|
71T75802S100BG8 |
Układ scalony SRAM 18MBIT PAR 119PBGA
|
Renesas Electronics America Inc.
|
|
|
|
|
|
70V659S10BF |
Układ scalony SRAM 4,5MBIT PAR 208CABGA
|
Renesas Electronics America Inc.
|
|
|
|
|
|
93LC56BT-I/MC |
Układ scalony EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8DFN
|
Technologia mikroczipów
|
|
|
|
|
|
Wykorzystanie metalu |
IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 24TFBGA
|
Elektronika Winbonda
|
|
|