MT28FW02GBBA1HPC-0AAT TR
Specyfikacje
Kategoria:
Obwody zintegrowane
Pamięć
Pamięć
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Zestaw:
Pozycja AEC-Q100
Programowalny DigiKey:
Nie zweryfikowane
Interfejs pamięci:
Równoległy
Czas cyklu zapisu — słowo, strona:
60ns
Zestaw urządzeń dostawcy:
64-LBGA (11x13)
Typ pamięci:
Nieulotne
Mfr:
Micron Technology Inc.
Rozmiar pamięci:
2Gbit
Napięcie - zasilanie:
1,7 V ~ 3,6 V
Czas dostępu:
105 ns
Opakowanie / Pudełko:
64-LBGA
Organizacja pamięci:
128M x 16
Temperatura pracy:
-40°C ~ 105°C (TA)
technologii:
BŁYSK - NIE
Numer produktu podstawowego:
MT28FW02
Format pamięci:
Błysk
Wprowadzenie
FLASH - Układ pamięci NOR 2Gbit równoległy 105 ns 64-LBGA (11x13)
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
MT41K64M16TW-107 AIT:J
IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
MT4F4G08ABBFAH4-IT:F TR
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
MT5W3W3W3W3W3W3W3W3W3
LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
MT25QU512ABB8E12-0AUT TR
IC FLASH 512MBIT SPI 24TPBGA
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
MT4W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3
IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
MT4rozporządzenie (UE) nr 1308/2013
IC DRAM 12GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
MT2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
MT40A2G8SA-062E IT:F
IC DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
MT2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P
LPDDR5 16GBIT 16 315/315 TFBGA 1
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif)
MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
Obraz | część # | Opis | |
---|---|---|---|
![]() |
MT41K64M16TW-107 AIT:J |
IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
|
|
![]() |
MT4F4G08ABBFAH4-IT:F TR |
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
|
|
![]() |
MT5W3W3W3W3W3W3W3W3W3 |
LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP
|
|
![]() |
MT25QU512ABB8E12-0AUT TR |
IC FLASH 512MBIT SPI 24TPBGA
|
|
![]() |
MT4W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3 |
IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
|
|
![]() |
MT4rozporządzenie (UE) nr 1308/2013 |
IC DRAM 12GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
|
|
![]() |
MT2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2 |
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
|
|
![]() |
MT40A2G8SA-062E IT:F |
IC DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA
|
|
![]() |
MT2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P |
LPDDR5 16GBIT 16 315/315 TFBGA 1
|
|
![]() |
MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: