MT2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P2P
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
producent:
Micron Technology Inc.
Opis:
LPDDR5 16 GBIT 16 315/315 TFBGA 1
Kategoria:
Pamięć
Specyfikacje
Kategoria:
Obwody zintegrowane
Pamięć
Pamięć
Rozmiar pamięci:
16Gbit
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Pudełko
Zestaw:
-
Programowalny DigiKey:
Nie zweryfikowane
Interfejs pamięci:
Równoległy
Czas cyklu zapisu — słowo, strona:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
200-WFBGA (10x14,5)
Typ pamięci:
Lotny
Mfr:
Micron Technology Inc.
Częstotliwość zegara:
4,266 GHz
Napięcie - zasilanie:
1,05 V
Opakowanie / Pudełko:
200-WFBGA
Organizacja pamięci:
1G x 16
Temperatura pracy:
-
technologii:
SDRAM — mobilny LPDDR5
Format pamięci:
NAPARSTEK
Wprowadzenie
SDRAM - Przenośna pamięć LPDDR5 IC 16Gbit Równoległy 4,266 GHz 200-WFBGA (10x14.5)
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
MT41K64M16TW-107 AIT:J
IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
MT4F4G08ABBFAH4-IT:F TR
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
MT5W3W3W3W3W3W3W3W3W3
LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP
MT25QU512ABB8E12-0AUT TR
IC FLASH 512MBIT SPI 24TPBGA
MT4W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3
IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
MT4rozporządzenie (UE) nr 1308/2013
IC DRAM 12GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
MT2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
MT40A2G8SA-062E IT:F
IC DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA
MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
MT25QL128ABA1ESE-0SIT TR
IC FLASH 128MBIT SPI 133MHZ 8SO
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
MT41K64M16TW-107 AIT:J |
IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
|
|
|
|
MT4F4G08ABBFAH4-IT:F TR |
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 63VFBGA
|
|
|
|
MT5W3W3W3W3W3W3W3W3W3 |
LPDDR4 8G 256MX32 FBGA DDP
|
|
|
|
MT25QU512ABB8E12-0AUT TR |
IC FLASH 512MBIT SPI 24TPBGA
|
|
|
|
MT4W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3W3 |
IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
|
|
|
|
MT4rozporządzenie (UE) nr 1308/2013 |
IC DRAM 12GBIT 1.866GHZ 200WFBGA
|
|
|
|
MT2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2S2 |
IC FLASH 2GBIT PARALLEL 48TSOP I
|
|
|
|
MT40A2G8SA-062E IT:F |
IC DRAM 16GBIT PARALLEL 78FBGA
|
|
|
|
MT29F1G08ABAEAWP-AATX:E |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I
|
|
|
|
MT25QL128ABA1ESE-0SIT TR |
IC FLASH 128MBIT SPI 133MHZ 8SO
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: