UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
producent:
RENESZ
Opis:
Układ scalony DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
Kategoria:
Pamięć
Specyfikacje
Kategoria:
Obwody zintegrowane
Pamięć
Pamięć
Rozmiar pamięci:
576Mbit
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Wyroby masowe
Zestaw:
-
Programowalny DigiKey:
Nie zweryfikowane
Interfejs pamięci:
HSTL
Czas cyklu zapisu — słowo, strona:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
144-TFBGA (11x18,5)
Typ pamięci:
Lotny
Mfr:
RENESZ
Częstotliwość zegara:
400 MHz
Napięcie - zasilanie:
1.7V ~ 1.9V
Opakowanie / Pudełko:
144-TBGA
Organizacja pamięci:
64M x 9
Temperatura pracy:
0°C ~ 95°C (TC)
technologii:
LLDRAM
Numer produktu podstawowego:
UPD48576209
Format pamięci:
NAPARSTEK
Wprowadzenie
Pamięć LLDRAM IC 576Mbit HSTL 400 MHz 144-TFBGA (11x18.5)
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
HN58C256AP10E
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
UPD48576236F1-E18-DW1-A
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
R1LV0108ESA-5SI#B1
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
R1LV1616HSA-5SI#B1
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
HN58C257AT85E
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
M5M5V108DVP-70H#BT
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
R1WV6416RBG-5SI#B0
R1WV6416RBG-5SI - Low Power SRAM
HN58V66ATI10E
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
R1LP5256ESA-5SI#S1
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
R1RW0416DSB-2PI#D1
R1RW0416D-I - Wide Temperature R
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
HN58C256AP10E |
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
|
|
|
|
UPD48576236F1-E18-DW1-A |
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
|
|
|
|
R1LV0108ESA-5SI#B1 |
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
|
|
|
|
R1LV1616HSA-5SI#B1 |
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
|
|
|
|
HN58C257AT85E |
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
|
|
|
|
M5M5V108DVP-70H#BT |
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
|
|
|
|
R1WV6416RBG-5SI#B0 |
R1WV6416RBG-5SI - Low Power SRAM
|
|
|
|
HN58V66ATI10E |
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
|
|
|
|
R1LP5256ESA-5SI#S1 |
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
|
|
|
|
R1RW0416DSB-2PI#D1 |
R1RW0416D-I - Wide Temperature R
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: