R1WV6416RBG-5SI#B0
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
producent:
RENESZ
Opis:
R1WV6416RBG-5SI - SRAM o niskiej mocy
Kategoria:
Pamięć
Specyfikacje
Kategoria:
Obwody zintegrowane
Pamięć
Pamięć
Status produktu:
Nieprzydatne
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Wyroby masowe
Zestaw:
-
Interfejs pamięci:
Równoległy
Czas cyklu zapisu — słowo, strona:
55ns
Zestaw urządzeń dostawcy:
48-TFBGA (8,5x11)
Typ pamięci:
Lotny
Mfr:
RENESZ
Rozmiar pamięci:
64Mbit
Napięcie - zasilanie:
2.7V ~ 3.6V
Opakowanie / Pudełko:
48-TFBGA
Organizacja pamięci:
4M x 16, 8M x 8
Temperatura pracy:
-40°C ~ 85°C (TA)
technologii:
SRAM — asynchroniczny
Czas dostępu:
55 ns
Format pamięci:
SRAM
Wprowadzenie
SRAM - asynchroniczna pamięć IC 64Mbit Parallel 55 ns 48-TFBGA (8.5x11)
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
HN58C256AP10E
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
UPD48576236F1-E18-DW1-A
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
R1LV0108ESA-5SI#B1
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
R1LV1616HSA-5SI#B1
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
HN58C257AT85E
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
M5M5V108DVP-70H#BT
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
HN58V66ATI10E
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
R1LP5256ESA-5SI#S1
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
R1RW0416DSB-2PI#D1
R1RW0416D-I - Wide Temperature R
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
HN58C256AP10E |
HN58C256 - PARALLEL 256KBIT EEPR
|
|
|
|
UPD48576236F1-E18-DW1-A |
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
|
|
|
|
UPD48576209F1-E24-DW1-E2-A |
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
|
|
|
|
R1LV0108ESA-5SI#B1 |
R1LV0108E - 1Mb Advanced LPSRAM
|
|
|
|
R1LV1616HSA-5SI#B1 |
R1LV1616HSA - Wide Temperature R
|
|
|
|
HN58C257AT85E |
HN58C257 - PARALLEL 256KBIT EEPR
|
|
|
|
M5M5V108DVP-70H#BT |
STANDARD SRAM, 128KX8, 70NS, CMO
|
|
|
|
HN58V66ATI10E |
HN58V66 - PARALLEL 64KBIT EEPROM
|
|
|
|
R1LP5256ESA-5SI#S1 |
R1LP5256 - 256Kb Advanced LPSRAM
|
|
|
|
R1RW0416DSB-2PI#D1 |
R1RW0416D-I - Wide Temperature R
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: