M45PE20-VMN6P
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
producent:
Sojusz Pamięć, Inc.
Opis:
Układ scalony FLASH 2MBIT SPI 75MHZ 8SO
Kategoria:
Pamięć
Specyfikacje
Kategoria:
Obwody zintegrowane
Pamięć
Pamięć
Rozmiar pamięci:
2Mbit
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Rurka
Zestaw:
-
Programowalny DigiKey:
Nie zweryfikowane
Interfejs pamięci:
SPI
Czas cyklu zapisu — słowo, strona:
3 ms
Zestaw urządzeń dostawcy:
8-SO
Typ pamięci:
Nieulotne
Mfr:
Sojusz Pamięć, Inc.
Częstotliwość zegara:
75MHz
Napięcie - zasilanie:
2.7V ~ 3.6V
Opakowanie / Pudełko:
8-SOIC (0,154", szerokość 3,90 mm)
Organizacja pamięci:
256K x 8
Temperatura pracy:
-40°C ~ 85°C (TA)
technologii:
BŁYSK - NIE
Numer produktu podstawowego:
M45PE20
Format pamięci:
Błysk
Wprowadzenie
Flash - NOR IC pamięci 2Mbit SPI 75 MHz 8-SO
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
AS4C8M16SA-6BIN
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C256M16D3LC-12BCN
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
AS4C64M8D2-25BCN
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C32M16D3-12BCNTR
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 96FBGA
AS4C512M8D3LC-12BAN
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
AS7C31026B-20JCN
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
AS4C4M16SA-6BANTR
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
AS7C34096A-20JIN
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
AS4C128M16D3L-12BAN
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96BGA
AS4C512M16D3LA-10BIN
IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
AS4C8M16SA-6BIN |
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
|
|
|
|
AS4C256M16D3LC-12BCN |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
|
|
|
|
AS4C64M8D2-25BCN |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
|
|
|
|
AS4C32M16D3-12BCNTR |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 96FBGA
|
|
|
|
AS4C512M8D3LC-12BAN |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
|
|
|
|
AS7C31026B-20JCN |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
|
|
|
|
AS4C4M16SA-6BANTR |
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
|
|
|
|
AS7C34096A-20JIN |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
|
|
|
|
AS4C128M16D3L-12BAN |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96BGA
|
|
|
|
AS4C512M16D3LA-10BIN |
IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: