Do domu > produkty > Pamięć > AS4C256M16D3LC-12BCN

AS4C256M16D3LC-12BCN

producent:
Sojusz Pamięć, Inc.
Opis:
Układ scalony DRAM 4 GBIT RÓWNOLEGŁY 96FBGA
Kategoria:
Pamięć
Specyfikacje
Kategoria:
Obwody zintegrowane Pamięć Pamięć
Rozmiar pamięci:
4Gbit
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Płytka
Zestaw:
-
Programowalny DigiKey:
Nie zweryfikowane
Interfejs pamięci:
Równoległy
Czas cyklu zapisu — słowo, strona:
15ns
Zestaw urządzeń dostawcy:
96-FBGA (7,5x13,5)
Typ pamięci:
Lotny
Mfr:
Sojusz Pamięć, Inc.
Częstotliwość zegara:
800MHz
Napięcie - zasilanie:
1,283 V ~ 1,45 V
Czas dostępu:
20 sekund
Opakowanie / Pudełko:
96-TFBGA
Organizacja pamięci:
256M x 16
Temperatura pracy:
0°C ~ 95°C (TC)
technologii:
SDRAM - DDR3L
Numer produktu podstawowego:
AS4C256
Format pamięci:
NAPARSTEK
Wprowadzenie
SDRAM - Układ pamięci DDR3L 4Gbit równoległy 800 MHz 20 ns 96-FBGA (7,5x13,5)
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
Obraz część # Opis
jakość [#varpname#] fabryka

AS4C8M16SA-6BIN

IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
jakość [#varpname#] fabryka

AS4C64M8D2-25BCN

IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
jakość [#varpname#] fabryka

AS4C32M16D3-12BCNTR

IC DRAM 512MBIT PARALLEL 96FBGA
jakość [#varpname#] fabryka

AS4C512M8D3LC-12BAN

IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
jakość [#varpname#] fabryka

AS7C31026B-20JCN

IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
jakość [#varpname#] fabryka

AS4C4M16SA-6BANTR

IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
jakość [#varpname#] fabryka

AS7C34096A-20JIN

IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
jakość [#varpname#] fabryka

AS4C128M16D3L-12BAN

IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96BGA
jakość [#varpname#] fabryka

AS4C512M16D3LA-10BIN

IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
jakość [#varpname#] fabryka

AS4C128M16D3LC-12BCN

IC DRAM 2GBIT 800MHZ 96FBGA
jakość [#varpname#] fabryka

AS4C32M16D1-5BIN

IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
jakość [#varpname#] fabryka

AS7C256A-10JIN

IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
jakość [#varpname#] fabryka

AS6C6416-55TINTR

IC SRAM 64MBIT PARALLEL 48TSOP I
jakość [#varpname#] fabryka

AS6C2008-55SIN

IC SRAM 2MBIT PARALLEL 32SOP
jakość [#varpname#] fabryka

AS4C32M16D3L-12BCNTR

IC DRAM 512MBIT PARALLEL 96FBGA
jakość [#varpname#] fabryka

AS7C34096A-20JINTR

IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
jakość [#varpname#] fabryka

AS7C32098A-20TINTR

IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP2
jakość [#varpname#] fabryka

AS6C1016-55ZINTR

IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II
jakość [#varpname#] fabryka

AS7C31024B-12JCN

IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
jakość [#varpname#] fabryka

AS7C32098A-20TCN

IC SRAM 2MBIT PARALLEL 44TSOP2
jakość [#varpname#] fabryka

AS7C31025B-12JCNTR

IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32SOJ
jakość [#varpname#] fabryka

AS4C128M16D2A-25BINTR

IC DRAM 2GBIT PARALLEL 84TFBGA
jakość [#varpname#] fabryka

M29F800FB55M3F2

IC FLASH 8MBIT 44SO
jakość [#varpname#] fabryka

AS4C16M16SA-6TANTR

IC DRAM 256MBIT PAR 54TSOP II
jakość [#varpname#] fabryka

AS7C1024B-12TCNTR

IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP I
jakość [#varpname#] fabryka

AS7C3256A-15JCN

IC SRAM 256KBIT PARALLEL 28SOJ
jakość [#varpname#] fabryka

AS4C32M16SB-7BINTR

IC DRAM 512MBIT PAR 54FBGA
jakość [#varpname#] fabryka

AS7C1026B-20JCNTR

IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
jakość [#varpname#] fabryka

AS7C34098A-12TCNTR

IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP2
jakość [#varpname#] fabryka

AS4C256M16D3C-12BINTR

IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: