Do domu > produkty > Pamięć > TH58NYG2S3HBAI6

TH58NYG2S3HBAI6

producent:
Kioxia America, Inc.
Opis:
IC FLASH 4 GBIT RÓWNOLEGŁY 63BGA
Kategoria:
Pamięć
Specyfikacje
Kategoria:
Obwody zintegrowane Pamięć Pamięć
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Płytka
Zestaw:
-
Programowalny DigiKey:
Nie zweryfikowane
Interfejs pamięci:
Równoległy
Czas cyklu zapisu — słowo, strona:
25ns
Zestaw urządzeń dostawcy:
63-BGA (9x11)
Typ pamięci:
Nieulotne
Mfr:
Kioxia America, Inc.
Rozmiar pamięci:
4Gbit
Napięcie - zasilanie:
1,7 V ~ 1,95 V
Opakowanie / Pudełko:
63-BGA
Organizacja pamięci:
512M x 8
Temperatura pracy:
-40°C ~ 85°C (TA)
technologii:
FLASH-NAND (SLC)
Numer produktu podstawowego:
TH58NYG2
Format pamięci:
Błysk
Wprowadzenie
Flash - NAND (SLC) IC pamięci 4Gbit Równoległy 63-BGA (9x11)
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: