Wymagania dotyczące:
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
producent:
Kioxia America, Inc.
Opis:
IC Flash 8GBIT PARALLEL 48TSOP I
Kategoria:
Pamięć
Specyfikacje
Kategoria:
Obwody zintegrowane
Pamięć
Pamięć
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Płytka
Zestaw:
-
Programowalny DigiKey:
Zweryfikowano
Interfejs pamięci:
Równoległy
Czas cyklu zapisu — słowo, strona:
25ns
Zestaw urządzeń dostawcy:
48-TSOP I
Typ pamięci:
Nieulotne
Mfr:
Kioxia America, Inc.
Rozmiar pamięci:
8Gbit
Napięcie - zasilanie:
2.7V ~ 3.6V
Czas dostępu:
25 ns
Opakowanie / Pudełko:
48-TFSOP (0,724", 18,40 mm szerokości)
Organizacja pamięci:
1G x 8
Temperatura pracy:
-40°C ~ 85°C (TA)
technologii:
FLASH-NAND (SLC)
Numer produktu podstawowego:
TH58NVG3
Format pamięci:
Błysk
Wprowadzenie
Układ scalony pamięci FLASH — NAND (SLC) 8 Gbit Równoległy 25 ns 48-TSOP I
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
TH58BVG2S3HBAI4
IC FLASH 4GBIT 63TFBGA
TH58BYG3S0HBAI4
IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA
TC58NYG2S0HBAI6
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
TH58BYG2S3HBAI4
IC FLASH 4GBIT 63TFBGA
TC58BYG2S0HBAI4
IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA
/TGJFGT1E45BAIL
IC FLASH 2TBIT UFS 3.1 153BGA
TC58BYG0S3HBAI4
IC FLASH 1GBIT 63TFBGA
TC58BYG0S3HBAI6
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA
/Twoja siostra jest w domu.
IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA
TC58BYG2S0HBAI6
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
TH58BVG2S3HBAI4 |
IC FLASH 4GBIT 63TFBGA
|
|
|
|
TH58BYG3S0HBAI4 |
IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA
|
|
|
|
TC58NYG2S0HBAI6 |
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
|
|
|
|
TH58BYG2S3HBAI4 |
IC FLASH 4GBIT 63TFBGA
|
|
|
|
TC58BYG2S0HBAI4 |
IC FLASH 4G PARALLEL 63TFBGA
|
|
|
|
/TGJFGT1E45BAIL |
IC FLASH 2TBIT UFS 3.1 153BGA
|
|
|
|
TC58BYG0S3HBAI4 |
IC FLASH 1GBIT 63TFBGA
|
|
|
|
TC58BYG0S3HBAI6 |
IC FLASH 1GBIT PARALLEL 67VFBGA
|
|
|
|
/Twoja siostra jest w domu. |
IC FLASH 8GBIT PARALLEL 63TFBGA
|
|
|
|
TC58BYG2S0HBAI6 |
IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: