Filtry
Filtry
Pamięć
| Obraz | część # | Opis | producent | Akcje | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
|
X28HC256JZ-15T1 |
IC EEPROM 256KBIT PAR 32PLCC
|
Renesas Electronics America Inc.
|
|
|
|
|
|
24C01CT-I/ST |
Układ scalony EEPROM 1KBIT I2C 8TSSOP
|
Technologia mikroczipów
|
|
|
|
|
|
AS7C3256A-20JCN |
IC SRAM 256KBIT RÓWNOLEGŁY 28SOJ
|
Sojusz Pamięć, Inc.
|
|
|
|
|
|
S26HL01GTFPBHI033 |
IC FLASH 1 GBIT HYPERBUS 24FBGA
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
71V3579S85PFGI |
Układ scalony SRAM 4,5MBIT RÓWNOLEGŁY 100TQFP
|
IDT, Integrated Device Technology Inc
|
|
|
|
|
|
24AA044-E/P |
IC EEPROM 4KBIT I2C 1MHZ 8DIP
|
Technologia mikroczipów
|
|
|
|
|
|
24LC1026T-I/SM |
Układ scalony EEPROM 1MBIT I2C 400KHZ 8SOIJ
|
Technologia mikroczipów
|
|
|
|
|
|
M24512-WDW6TP |
Układ scalony EEPROM 512KBIT I2C 8TSSOP
|
STMikroelektronika
|
|
|
|
|
|
43R1756-C |
Kompatybilna z IBM 43R1756 pamięć 2 GB DDR2-
|
ProLabs
|
|
|
|
|
|
A3544258-C |
Kompatybilna pamięć DDR 2 GB firmy Dell A3544258
|
ProLabs
|
|
|
|
|
|
IS61DDB22M36A-300B4LI |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA
|
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
AS7C513B-15TCN |
Układ scalony SRAM 512KBIT RÓWNOLEGŁY 44TSOP2
|
Sojusz Pamięć, Inc.
|
|
|
|
|
|
93AA56CT-I/ST |
IC EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8TSSOP
|
Technologia mikroczipów
|
|
|
|
|
|
CY7C0241E-15AXC |
Układ scalony SRAM 72KBIT RÓWNOLEGŁY 100TQFP
|
Cypress Semiconductor Corp
|
|
|
|
|
|
FT93C46A-UTR-T |
IC EEPROM 1KBIT 3-PRZEWODOWY 8TSSOP
|
Fremont Micro Devices Ltd
|
|
|
|
|
|
CY7C1414KV18-300BZXC |
Układ scalony SRAM 36MBIT RÓWNOLEGŁY 165FBGA
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
IS43LR32800G-6BL |
IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA
|
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
71V546S133PFG |
Układ scalony SRAM 4,5MBIT RÓWNOLEGŁY 100TQFP
|
Renesas Electronics America Inc.
|
|
|
|
|
|
71V3556SA133BQG |
IC SRAM 4,5MB PAR 165CABGA
|
Renesas Electronics America Inc.
|
|
|
|
|
|
AS4C16M16SA-6BINTR |
IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA
|
Sojusz Pamięć, Inc.
|
|
|
|
|
|
Wymagania w zakresie ochrony środowiska |
Ferri-UFS BGA 153-b eMMC 3D TLC
|
Silicon Motion spółka z ograniczoną odpowiedzialnością
|
|
|
|
|
|
M95M02-DWMN3TP/K |
Układ scalony EEPROM 2MBIT SPI 10MHZ 8SOIC
|
STMikroelektronika
|
|
|
|
|
|
71V416L15BE |
Układ scalony SRAM 4MBIT RÓWNOLEGŁY 48CABGA
|
Renesas Electronics America Inc.
|
|
|
|
|
|
25LC040A-E/SN |
Układ scalony EEPROM 4KBIT SPI 10MHZ 8SOIC
|
Technologia mikroczipów
|
|
|
|
|
|
93LC56BX-I/SN |
Układ scalony EEPROM 2KBIT MICROWIRE 8SOIC
|
Technologia mikroczipów
|
|
|
|
|
|
25AA160CT-I/ST |
Układ scalony EEPROM 16KBIT SPI 8TSSOP
|
Technologia mikroczipów
|
|
|
|
|
|
M95320-DRMN8TP/K |
Układ scalony EEPROM 32KBIT SPI 20MHZ 8SO
|
STMikroelektronika
|
|
|
|
|
|
70V657S12BF8 |
Układ scalony SRAM 1,125MBIT PAR 208CABGA
|
Renesas Electronics America Inc.
|
|
|
|
|
|
71V67602S133PFGI |
Układ scalony SRAM 9MBIT RÓWNOLEGŁY 100TQFP
|
Renesas Electronics America Inc.
|
|
|
|
|
|
70T659S12BFI |
Układ scalony SRAM 4,5MBIT PAR 208CABGA
|
Renesas Electronics America Inc.
|
|
|
|
|
|
S25FL256LAGMFN001 |
Układ scalony FLASH 256MBIT SPI/QUAD 16SOIC
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
71V65603S150BGG8 |
IC SRAM 9MBIT PAR 150MHZ 119PBGA
|
Renesas Electronics America Inc.
|
|
|
|
|
|
IS46TR16128C-125KBLA1 |
IC DRAM 2 GBIT RÓWNOLEGŁY 96 TWBGA
|
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
AS4C8M16SA-7BCNTR |
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
|
Sojusz Pamięć, Inc.
|
|
|
|
|
|
71T75802S100BGGI8 |
Układ scalony SRAM 18MBIT PAR 119PBGA
|
Renesas Electronics America Inc.
|
|
|
|
|
|
MX25L51245GML-10G |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOP
|
Macronix
|
|
|
|
|
|
IS64WV5128EDBLL-10CTLA3 |
IC SRAM 4MBIT RÓWNOLEGŁY 44TSOP II
|
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
IS45S16320F-7TLA2-TR |
IC DRAM 512MB PAR 54TSOP II
|
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
IS61QDPB42M36A2-500B4LI |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165LFBGA
|
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
SM662PBD BFST |
Układ scalony FLASH 1 TBIT EMMC 153BGA
|
Silicon Motion spółka z ograniczoną odpowiedzialnością
|
|
|
|
|
|
AS4C256M8D2-25BCN |
IC DRAM 2 GBIT RÓWNOLEGŁY 60FBGA
|
Sojusz Pamięć, Inc.
|
|
|
|
|
|
71V3557S75PFG8 |
Układ scalony SRAM 4,5MBIT RÓWNOLEGŁY 100TQFP
|
Renesas Electronics America Inc.
|
|
|
|
|
|
IS46TR16128CL-15HBLA1 |
Układ scalony DRAM 2 GBIT PAR 96 TWBGA
|
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
CY7C1024DV33-10BGXI |
STANDARDOWA SRAM, 128KX24, 10NS PBG
|
Cypress Semiconductor Corp
|
|
|
|
|
|
CY7C1049DV33-10ZSXIT |
IC SRAM 4MBIT RÓWNOLEGŁY 44TSOP II
|
Cypress Semiconductor Corp
|
|
|
|
|
|
70T3599S166BF |
Układ scalony SRAM 4,5MBIT PAR 208CABGA
|
Renesas Electronics America Inc.
|
|
|
|
|
|
93LC66BT-I/OT |
IC EEPROM 4KBIT MIC WIRE SOT23-6
|
Technologia mikroczipów
|
|
|
|
|
|
Wymagania dotyczące: |
IC EEPROM 16KBIT MICROWIRE 8DIP
|
pół
|
|
|
|
|
|
S29GL01GT11FHIV43 |
IC FLASH 1 GBIT RÓWNOLEGŁY 64FBGA
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
CY7C194BN-15PC |
IC SRAM 256KBIT RÓWNOLEGŁY 24DIP
|
Cypress Semiconductor Corp
|
|
|