Filtry
Filtry
Pamięć
| Obraz | część # | Opis | producent | Akcje | RFQ | |
|---|---|---|---|---|---|---|
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
|
S25FL256SAGBHI210 |
S25FL256S — 256 Mbitów, 3,0 V CMOS
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
|
|
M24C04-DRMN8TP/K |
IC EEPROM 4KBIT I2C 1 MHz 8SOIC
|
STMikroelektronika
|
|
|
|
|
|
24FC256T-I/OT |
Układ scalony EEPROM 256KBIT I2C SOT23-5
|
Technologia mikroczipów
|
|
|
|
|
|
71V3577SA80BGGI |
Układ scalony SRAM 4,5MBIT RÓWNOLEGŁY 119PBGA
|
IDT, Integrated Device Technology Inc
|
|
|
|
|
|
CY62156ESL-45BVXIT |
Układ scalony SRAM 8MBIT RÓWNOLEGŁY 48VFBGA
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
IS43DR86400C-25DBLI-TR |
IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
|
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
SFEM010GB2ED1TO-A-5E-11P-STD |
Układ scalony FLASH 80 GBIT EMMC 153BGA
|
Szwajcarski bit
|
|
|
|
|
|
CY7C1480BV33-200AXC |
Układ scalony SRAM 72MBIT RÓWNOLEGŁY 100TQFP
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
24FC256-I/SM |
Układ scalony EEPROM 256KBIT I2C 1MHZ 8SOIJ
|
Technologia mikroczipów
|
|
|
|
|
|
CY62256NLL-70ZI |
Układ scalony SRAM 256KBIT PAR 28TSOP I
|
Cypress Semiconductor Corp
|
|
|
|
|
|
23A256-I/P |
IC SRAM 256KBIT SPI 20MHZ 8DIP
|
Technologia mikroczipów
|
|
|
|
|
|
93C76AT-I/OT |
IC EEPROM 8KBIT PRZEWÓD MIKROFONOWY SOT23-6
|
Technologia mikroczipów
|
|
|
|
|
|
CY14E101J2-SXIT |
IC NVSRAM 1MBIT I2C 3.4MHZ 8SOIC
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
IS45S16320F-6TLA1 |
IC DRAM 512MB PAR 54TSOP II
|
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
SMJ61CD16SA-35JDM |
STANDARDOWA SRAM, 16KX1
|
Texas Instruments
|
|
|
|
|
|
S-25C128A0I-J8T1U3 |
IC EEPROM 128KBIT SPI 5MHZ 8SOP
|
ABLIC Inc.
|
|
|
|
|
|
S25FL256LAGBHM020 |
Układ scalony FLASH 256MBIT SPI/QUAD 24BGA
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
AS4C8M16D1A-5TINTR |
IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
|
Sojusz Pamięć, Inc.
|
|
|
|
|
|
SST39VF010-70-4C-WHE-T |
IC FLASH 1MBIT RÓWNOLEGLE 32TSOP
|
Technologia mikroczipów
|
|
|
|
|
|
24C02CT-E/SN |
Układ scalony EEPROM 2KBIT I2C 100KHZ 8SOIC
|
Technologia mikroczipów
|
|
|
|
|
|
71V546S100PFGI8 |
Układ scalony SRAM 4,5MBIT PAR 100TQFP
|
Renesas Electronics America Inc.
|
|
|
|
|
|
71V3556SA133BQI |
IC SRAM 4,5MB PAR 165CABGA
|
Renesas Electronics America Inc.
|
|
|
|
|
|
S29AL008J70BFA013 |
IC FLASH 8MBIT RÓWNOLEGŁY 48FBGA
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
24LC08BH-I/MS |
Układ scalony EEPROM 8KBIT I2C 400KHZ 8MSOP
|
Technologia mikroczipów
|
|
|
|
|
|
S-25C320A0I-I8T1U3 |
Układ scalony EEPROM 32KBIT SPI 5MHZ SNT8A
|
ABLIC Inc.
|
|
|
|
|
|
71V67603S166BQG |
Układ scalony SRAM 9MBIT RÓWNOLEGŁY 165CABGA
|
Renesas Electronics America Inc.
|
|
|
|
|
|
S25FL132K0XMFB040 |
Układ scalony FLASH 32MBIT SPI/QUAD 8SOIC
|
Cypress Semiconductor Corp
|
|
|
|
|
|
93C66-E/P |
IC EEPROM 4KBIT MICROWIRE 8DIP
|
Technologia mikroczipów
|
|
|
|
|
|
IS63WV1024BLL-12TLI |
IC SRAM 1MBIT RÓWNOLEGŁY 32TSOP II
|
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
IS61VPS204836B-250TQLI-TR |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 100LQFP
|
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
S29GL256S10DHI010 |
IC FLASH 256MBIT RÓWNOLEGLE 64FBGA
|
Cypress Semiconductor Corp
|
|
|
|
|
|
S25FL512SDPMFI011 |
Układ scalony FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOIC
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
S29GL256S90FHSS33 |
IC FLASH 256MBIT RÓWNOLEGLE 64FBGA
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
CY7C4122KV13-933FCXI |
Układ scalony SRAM 144MBIT PAR 361FCBGA
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
IS43DR16640B-25DBL-TR |
IC DRAM 1 GBIT RÓWNOLEGŁY 84 TWBGA
|
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
71V65703S80BQG |
Układ scalony SRAM 9MBIT RÓWNOLEGŁY 165CABGA
|
Renesas Electronics America Inc.
|
|
|
|
|
|
70V658S12BF8 |
Układ scalony SRAM 2MBIT RÓWNOLEGŁY 208CABGA
|
Renesas Electronics America Inc.
|
|
|
|
|
|
D5116AN9CXGRK-U |
Układ scalony DRAM 8GBIT 96FBGA
|
Kingston
|
|
|
|
|
|
CY7C14251KV18-250BZI |
Układ scalony SRAM 36MBIT PAR 165FBGA
|
Cypress Semiconductor Corp
|
|
|
|
|
|
IS61WV2568EDBLL-10TLI-TR |
IC SRAM 2MBIT RÓWNOLEGŁY 44TSOP II
|
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
|
|
|
|
|
|
71V416S15PHG |
71V416 — 4 MEG (256 tys. X 16-BITÓW) 3
|
IDT, Integrated Device Technology Inc
|
|
|
|
|
|
S29GL512S10FAI023 |
IC FLASH 512MBIT RÓWNOLEGŁY 64FBGA
|
Infineon Technologies
|
|
|
|
|
|
W przypadku, gdy wprowadzone są nowe wymagania, należy wprowadzić następujące zmiany: |
IC EEPROM 2KBIT I2C 400KHZ 8SOIC
|
pół
|
|
|
|
|
|
MT25QU512ABB8ESF-0AAT TR |
Układ scalony FLASH 512MBIT SPI 133MHZ 16SO
|
Micron Technology Inc.
|
|
|
|
|
|
71V3577S75BQG |
IC SRAM 4,5MB PAR 165CABGA
|
IDT, Integrated Device Technology Inc
|
|
|
|
|
|
S25FL064P0XMFA000 |
S25FL064P — 64-Mbitowa pamięć flash 3,0 V
|
Nexperia USA Inc.
|
|
|
|
|
|
70V631S10BCG |
Układ scalony SRAM 4,5MBIT PAR 256CABGA
|
Renesas Electronics America Inc.
|
|
|
|
|
|
SST25VF016B-50-4C-S2AF-T |
Układ scalony FLASH 16MBIT SPI 50MHZ 8SOIC
|
Technologia mikroczipów
|
|
|
|
|
|
24LC01B-E/P |
IC EEPROM 1KBIT I2C 400KHZ 8DIP
|
Technologia mikroczipów
|
|
|
|
|
|
MT4zbudowa i modernizacja |
IC DRAM 48GBIT 2.133GHz WFBGA
|
Micron Technology Inc.
|
|
|