CY14B104LA-ZS45XI
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
producent:
Infineon Technologies
Opis:
IC NVSRAM 4MBIT PAR 44TSOP II
Kategoria:
Pamięć
Specyfikacje
Kategoria:
Obwody zintegrowane
Pamięć
Pamięć
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Płytka
Zestaw:
-
Programowalny DigiKey:
Nie zweryfikowane
Interfejs pamięci:
Równoległy
Czas cyklu zapisu — słowo, strona:
45ns
Zestaw urządzeń dostawcy:
44-TSOP II
Typ pamięci:
Nieulotne
Mfr:
Infineon Technologies
Rozmiar pamięci:
4Mbit
Napięcie - zasilanie:
2.7V ~ 3.6V
Czas dostępu:
45 ns
Opakowanie / Pudełko:
44-TSOP (0,400", 10,16 mm szerokości)
Organizacja pamięci:
512K x 8
Temperatura pracy:
-40°C ~ 85°C (TA)
technologii:
NVSRAM (nieulotna pamięć SRAM)
Numer produktu podstawowego:
CY14B104
Format pamięci:
NVSRAM
Wprowadzenie
NVSRAM (Non-Volatile SRAM) pamięć IC 4Mbit Parallel 45 ns 44-TSOP II
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: