70T633S10BFI
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
producent:
Renesas Electronics America Inc.
Opis:
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 208CABGA
Kategoria:
Pamięć
Specyfikacje
Kategoria:
Obwody zintegrowane
Pamięć
Pamięć
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Płytka
Zestaw:
-
Programowalny DigiKey:
Nie zweryfikowane
Interfejs pamięci:
Równoległy
Czas cyklu zapisu — słowo, strona:
10ns
Zestaw urządzeń dostawcy:
208-CABGA (15x15)
Typ pamięci:
Lotny
Mfr:
Renesas Electronics America Inc.
Rozmiar pamięci:
9Mbitów
Napięcie - zasilanie:
2,4 V ~ 2,6 V
Czas dostępu:
10 nS
Opakowanie / Pudełko:
208-LFBGA
Organizacja pamięci:
512 KB x 18
Temperatura pracy:
-40°C ~ 85°C (TA)
technologii:
SRAM — podwójny port, asynchroniczny
Numer produktu podstawowego:
70T633
Format pamięci:
SRAM
Wprowadzenie
SRAM - Dual Port, asynchroniczna pamięć IC 9Mbit Parallel 10 ns 208-CABGA (15x15)
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: