R1RW0416DGE-2PI#B1
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
producent:
Renesas Electronics America Inc.
Opis:
IC SRAM 4MBIT RÓWNOLEGŁY 44SOJ
Kategoria:
Pamięć
Specyfikacje
Kategoria:
Obwody zintegrowane
Pamięć
Pamięć
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Rurka
Zestaw:
-
Programowalny DigiKey:
Nie zweryfikowane
Interfejs pamięci:
Równoległy
Czas cyklu zapisu — słowo, strona:
12ns
Zestaw urządzeń dostawcy:
44-SOJ
Typ pamięci:
Lotny
Mfr:
Renesas Electronics America Inc.
Rozmiar pamięci:
4Mbit
Napięcie - zasilanie:
3V ~ 3,6V
Czas dostępu:
12 ns
Opakowanie / Pudełko:
44-BSOJ (0,400", 10,16 mm szerokości)
Organizacja pamięci:
256K x 16
Temperatura pracy:
-40°C ~ 85°C (TA)
technologii:
SRAM
Numer produktu podstawowego:
R1RW0416
Format pamięci:
SRAM
Wprowadzenie
IC pamięci SRAM 4Mbit Równoległy 12 ns 44-SOJ
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: