71V256SA12YG
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
producent:
IDT, Integrated Device Technology Inc
Opis:
71V256 - Mniejsza moc 3.3V CMOS F
Kategoria:
Pamięć
Specyfikacje
Kategoria:
Obwody zintegrowane
Pamięć
Pamięć
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Wyroby masowe
Zestaw:
-
Programowalny DigiKey:
Nie zweryfikowane
Interfejs pamięci:
Równoległy
Czas cyklu zapisu — słowo, strona:
12ns
Zestaw urządzeń dostawcy:
28-SOJ
Typ pamięci:
Lotny
Mfr:
IDT, Integrated Device Technology Inc
Rozmiar pamięci:
256 Kbit
Napięcie - zasilanie:
3V ~ 3,6V
Czas dostępu:
12 ns
Opakowanie / Pudełko:
28-BSOJ (0,300", 7,62 mm szerokości)
Organizacja pamięci:
32K x 8
Temperatura pracy:
0°C ~ 70°C (TA)
technologii:
SRAM — asynchroniczny
Numer produktu podstawowego:
71V256
Format pamięci:
SRAM
Wprowadzenie
SRAM - asynchroniczna pamięć IC 256Kbit równoległa 12 ns 28-SOJ
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
71V3556SA133BGI
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA
71V416S10PH
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
71V35761S166PFGI
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
71V2576S133PFG
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
71016S12PH
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II
71V416S15YGI
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
71V424YS12PHI
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
71V124SA12PHI
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
7164L25YG
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ
71V416YL12PHG
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
| Obraz | część # | Opis | |
|---|---|---|---|
|
|
71V3556SA133BGI |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 119PBGA
|
|
|
|
71V416S10PH |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
|
|
|
|
71V35761S166PFGI |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
|
|
|
|
71V2576S133PFG |
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 100TQFP
|
|
|
|
71016S12PH |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44TSOP II
|
|
|
|
71V416S15YGI |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44SOJ
|
|
|
|
71V424YS12PHI |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
|
|
|
|
71V124SA12PHI |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 32TSOP II
|
|
|
|
7164L25YG |
IC SRAM 64KBIT PARALLEL 28SOJ
|
|
|
|
71V416YL12PHG |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 44TSOP II
|
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: