71V65603S133BQ
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
producent:
Renesas Electronics America Inc.
Opis:
Układ scalony SRAM 9MBIT RÓWNOLEGŁY 165CABGA
Kategoria:
Pamięć
Specyfikacje
Kategoria:
Obwody zintegrowane
Pamięć
Pamięć
Rozmiar pamięci:
9Mbitów
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Płytka
Zestaw:
-
Programowalny DigiKey:
Nie zweryfikowane
Interfejs pamięci:
Równoległy
Czas cyklu zapisu — słowo, strona:
-
Zestaw urządzeń dostawcy:
165-CABGA (13x15)
Typ pamięci:
Lotny
Mfr:
Renesas Electronics America Inc.
Częstotliwość zegara:
133MHz
Napięcie - zasilanie:
3.135V ~ 3.465V
Czas dostępu:
4,2 ns
Opakowanie / Pudełko:
165-TBGA
Organizacja pamięci:
256 KB x 36
Temperatura pracy:
0°C ~ 70°C (TA)
technologii:
SRAM — synchroniczny, SDR (ZBT)
Numer produktu podstawowego:
71V65603
Format pamięci:
SRAM
Wprowadzenie
SRAM - pamięć synchroniczna, SDR (ZBT) IC 9Mbit Równoległy 133 MHz 4.2 ns 165-CABGA (13x15)
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: