70T633S12BCI8
![jakość [#varpname#] fabryka](/images/load_icon.gif){kind=icon}
producent:
Renesas Electronics America Inc.
Opis:
Układ scalony SRAM 9MBIT RÓWNOLEGŁY 256CABGA
Kategoria:
Pamięć
Specyfikacje
Kategoria:
Obwody zintegrowane
Pamięć
Pamięć
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Zestaw:
-
Programowalny DigiKey:
Nie zweryfikowane
Interfejs pamięci:
Równoległy
Czas cyklu zapisu — słowo, strona:
12ns
Zestaw urządzeń dostawcy:
256-CABGA (17x17)
Typ pamięci:
Lotny
Mfr:
Renesas Electronics America Inc.
Rozmiar pamięci:
9Mbitów
Napięcie - zasilanie:
2,4 V ~ 2,6 V
Czas dostępu:
12 ns
Opakowanie / Pudełko:
256-LBGA
Organizacja pamięci:
512 KB x 18
Temperatura pracy:
-40°C ~ 85°C (TA)
technologii:
SRAM — podwójny port, asynchroniczny
Numer produktu podstawowego:
70T633
Format pamięci:
SRAM
Wprowadzenie
SRAM - Dual Port, asynchroniczna pamięć IC 9Mbit Parallel 12 ns 256-CABGA (17x17)
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: