Do domu > produkty > Pamięć > EM639165BM-5H

EM639165BM-5H

producent:
Etron Technology, Inc.
Opis:
Układ scalony DRAM 128MBIT RÓWNOLEGŁY 54FBGA
Kategoria:
Pamięć
Specyfikacje
Kategoria:
Obwody zintegrowane Pamięć Pamięć
Rozmiar pamięci:
128 Mb/s
Status produktu:
Aktywny
Rodzaj montażu:
Powierzchnia
Pakiet:
Taśma i rolka (TR)
Zestaw:
-
Programowalny DigiKey:
Nie zweryfikowane
Interfejs pamięci:
Równoległy
Czas cyklu zapisu — słowo, strona:
10ns
Zestaw urządzeń dostawcy:
54-FBGA (8x8)
Typ pamięci:
Lotny
Mfr:
Etron Technology, Inc.
Częstotliwość zegara:
200 MHz
Napięcie - zasilanie:
3V ~ 3,6V
Czas dostępu:
4,5 ns
Opakowanie / Pudełko:
54-TFBGA
Organizacja pamięci:
8M x 16
Temperatura pracy:
0°C ~ 70°C (TA)
technologii:
SDRAM
Numer produktu podstawowego:
EM639165
Format pamięci:
NAPARSTEK
Wprowadzenie
Pamięć SDRAM IC 128Mbit Równoległy 200 MHz 4,5 ns 54-FBGA (8x8)
ZAŁĄCZONE PRODUKTY
Obraz część # Opis
jakość [#varpname#] fabryka

EM6HD16EWBH-10H

IC DRAM 2GBIT PAR 96FBGA
jakość [#varpname#] fabryka

EM6HC16EWXC-12IH

IC DRAM 1GBIT PARALLEL 96FBGA
jakość [#varpname#] fabryka

EM6HE16EWXD-10H

IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
jakość [#varpname#] fabryka

EM68C16CWQG-25H

IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
jakość [#varpname#] fabryka

EM6GA16LCAEA-12H

IC DRAM 256MBIT PAR 50WLCSP
jakość [#varpname#] fabryka

/EM6OE16NWAKA-07H

IC DRAM 4GBIT POD 96FBGA
jakość [#varpname#] fabryka

EM6HD08EWUF-10H

IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
jakość [#varpname#] fabryka

EM68C16CWQG-25IH

IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84FBGA
jakość [#varpname#] fabryka

/EM6OE16NWAKA-07IH

IC DRAM 4GBIT POD 96FBGA
jakość [#varpname#] fabryka

EM6HE16EWAKG-10IH

IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
jakość [#varpname#] fabryka

EM6HE16EWAKG-10H

IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
jakość [#varpname#] fabryka

EM63A165BM-5H

IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54FBGA
jakość [#varpname#] fabryka

EM6GE08EW9G-10IH

IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
jakość [#varpname#] fabryka

EM6HD08EWUF-10IH

IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
jakość [#varpname#] fabryka

EM6HF16EBXB-12SH

8GB (512MX16) DDR3. 96-BALL WIND
jakość [#varpname#] fabryka

EM6GE08EW9G-10H

IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
jakość [#varpname#] fabryka

EM6GD08EWUF-10IH

IC DRAM 2GBIT PAR 78FBGA
jakość [#varpname#] fabryka

EM6HE08EW3F-12H

IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
jakość [#varpname#] fabryka

EM6GE16EWXD-10IH

IC DRAM 4GBIT PAR 96FBGA
jakość [#varpname#] fabryka

EM6HD08EWAHH-12IH

IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
jakość [#varpname#] fabryka

EM6GE08EW8D-10IH

IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
jakość [#varpname#] fabryka

EM6HE08EW9G-10IH

IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
jakość [#varpname#] fabryka

EM6HE08EW8D-10IH

IC DRAM 4GBIT PAR 78FBGA
jakość [#varpname#] fabryka

EM6GD08EWAHH-10IH

IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
jakość [#varpname#] fabryka

EM6HD08EWAHH-12H

IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
jakość [#varpname#] fabryka

EM6HB16EWKA-12H

IC DRAM 512MBIT PARALLEL 96FBGA
jakość [#varpname#] fabryka

EM63A165BM-5IH

IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54FBGA
jakość [#varpname#] fabryka

EM6GC16EWKG-10IH

IC DRAM 1GBIT PAR 96FBGA
jakość [#varpname#] fabryka

EM6GD08EWAHH-10H

IC DRAM 2GBIT PARALLEL 78FBGA
jakość [#varpname#] fabryka

EM6HC08EWUG-10H

IC DRAM 1GBIT PAR 78FBGA
Wyślij zapytanie ofertowe
Akcje:
MOQ: